MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC - SI4621DY-T1-E3 - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key

SI4621DY-T1-E3TR-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

SI4621DY-T1-E3

Descripción

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Cantidad disponible

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MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC - SI4621DY-T1-E3 - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	SI4621DY-T1-E3
Distribuidor	Vishay/Siliconix
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Surface Mount
FET Type	P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	54 mOhms @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	450pF @ 10V
Power - Max	3.1W
Packaging	Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) @ Vgs	13nC @ 10V
Package / Case	8-SOIC
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	SI4621DY T1 E3 SI4621DYT1E3 SI4621DY T1 E3TR ND SI4621DYT1E3TRND SI4621DY-T1-E3TR

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MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC - SI4621DY-T1-E3
(SI4621DY-T1-E3TR-ND) - Discrete Semiconductor Products

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MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC - SI4621DY-T1-E3 (SI4621DY-T1-E3TR-ND) - Discrete Semiconductor Products