MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP - SI8429DB-T1-E1 - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key

SI8429DB-T1-E1TR-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

SI8429DB-T1-E1

Descripción

MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP

Cantidad disponible

Non-Stock

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MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP - SI8429DB-T1-E1 - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	SI8429DB-T1-E1
Distribuidor	Vishay/Siliconix
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Surface Mount
FET Type	P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	35 mOhms @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1640pF @ 4V
Power - Max	6.25W
Packaging	Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26nC @ 5V
Package / Case	Microfet 2x2
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	SI8429DB T1 E1 SI8429DBT1E1 SI8429DB T1 E1TR ND SI8429DBT1E1TRND SI8429DB-T1-E1TR

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MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP - SI8429DB-T1-E1
(SI8429DB-T1-E1TR-ND) - Discrete Semiconductor Products

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MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP - SI8429DB-T1-E1 (SI8429DB-T1-E1TR-ND) - Discrete Semiconductor Products