MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC - SI9435BDY-T1-E3 - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key

SI9435BDY-T1-E3TR-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

SI9435BDY-T1-E3

Descripción

MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC

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Non-Stock

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MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC - SI9435BDY-T1-E3 - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	SI9435BDY-T1-E3
Distribuidor	Vishay/Siliconix
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Surface Mount
FET Type	P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	42 mOhms @ 5.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	-
Power - Max	1.3W
Packaging	Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) @ Vgs	24nC @ 10V
Package / Case	8-SOIC
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	SI9435BDY T1 E3 SI9435BDYT1E3 SI9435BDY T1 E3TR ND SI9435BDYT1E3TRND SI9435BDY-T1-E3TR

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MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC - SI9435BDY-T1-E3
(SI9435BDY-T1-E3TR-ND) - Discrete Semiconductor Products

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MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC - SI9435BDY-T1-E3 (SI9435BDY-T1-E3TR-ND) - Discrete Semiconductor Products