HEX/MOS N-CHAN 30V 8.3A 8SOIC - IRF7807VTRPBF - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key

IRF7807VPBFDKR-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

IRF7807VTRPBF

Descripción

HEX/MOS N-CHAN 30V 8.3A 8SOIC

Cantidad disponible

Non-Stock

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HEX/MOS N-CHAN 30V 8.3A 8SOIC - IRF7807VTRPBF - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	IRF7807VTRPBF
Distribuidor	International Rectifier (VA)
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Surface Mount
FET Type	N-Channel + Diode
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	25 mOhms @ 7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	-
Power - Max	2.5W
Packaging	Digi-Reel®
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 5V
Package / Case	8-SOIC
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	IRF7807VTRPBF IRF7807VTRPBF IRF7807VPBFDKR ND IRF7807VPBFDKRND IRF7807VPBFDKR

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HEX/MOS N-CHAN 30V 8.3A 8SOIC - IRF7807VTRPBF
(IRF7807VPBFDKR-ND) - Discrete Semiconductor Products

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HEX/MOS N-CHAN 30V 8.3A 8SOIC - IRF7807VTRPBF (IRF7807VPBFDKR-ND) - Discrete Semiconductor Products