MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP - TPC8012-H(TE12L,Q)

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Número de pieza de Digi-Key

TPC8012-HQTR-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

TPC8012-H(TE12L,Q)

Descripción

MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

Cantidad disponible

Non-Stock

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MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP - TPC8012-H(TE12L,Q) - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	TPC8012-H(TE12L,Q)
Distribuidor	Toshiba
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Surface Mount
FET Type	N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	400 mOhms @ 900mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	440pF @ 10V
Power - Max	1.9W
Packaging	Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11nC @ 10V
Package / Case	8-SOP
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	TPC8012 H TE12L,Q TPC8012HTE12L,Q TPC8012 HQTR ND TPC8012HQTRND TPC8012-HQTR

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MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP - TPC8012-H(TE12L,Q)
(TPC8012-HQTR-ND)

MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP - TPC8012-H(TE12L,Q)

MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP - TPC8012-H(TE12L,Q) (TPC8012-HQTR-ND)