MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220SIS - 2SK3567(Q) - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key

2SK3567Q-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

2SK3567(Q)

Descripción

MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220SIS

Cantidad disponible

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MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220SIS - 2SK3567(Q) - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	2SK3567(Q)
Distribuidor	Toshiba
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Through Hole
FET Type	N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	2.2 mOhms @ 1.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	550pF @ 25 V
Power - Max	35W
Packaging	Tube
Gate Charge (Qg) @ Vgs	16nC @ 10V
Package / Case	TO-220 (SIS)
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	2SK3567 Q 2SK3567Q 2SK3567Q ND 2SK3567QND 2SK3567Q

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MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220SIS - 2SK3567(Q)
(2SK3567Q-ND) - Discrete Semiconductor Products

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