MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 - IRFBE30LPBF - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key

IRFBE30LPBF-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

IRFBE30LPBF

Descripción

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

Cantidad disponible

Non-Stock

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MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 - IRFBE30LPBF - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	IRFBE30LPBF
Distribuidor	Vishay IR
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Through Hole
FET Type	N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	3 Ohms @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	125W
Packaging	Bulk
Gate Charge (Qg) @ Vgs	78nC @ 10V
Package / Case	TO-262
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	IRFBE30LPBF IRFBE30LPBF

Image of MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 - IRFBE30LPBF

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MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 - IRFBE30LPBF
(IRFBE30LPBF-ND) - Discrete Semiconductor Products

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MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 - IRFBE30LPBF (IRFBE30LPBF-ND) - Discrete Semiconductor Products