HEX/MOS N-CHAN 100V 1.3A 4DIP - IRFD123PBF - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key

IRFD123PBF-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

IRFD123PBF

Descripción

HEX/MOS N-CHAN 100V 1.3A 4DIP

Cantidad disponible

Non-Stock

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HEX/MOS N-CHAN 100V 1.3A 4DIP - IRFD123PBF - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	IRFD123PBF
Distribuidor	Vishay IR
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Through Hole
FET Type	N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	270 mOhms @ 780mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	360pF @ 25V
Power - Max	1.3W
Packaging	Tube
Gate Charge (Qg) @ Vgs	16nC @ 10V
Package / Case	4-DIP
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	IRFD123PBF IRFD123PBF

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HEX/MOS N-CHAN 100V 1.3A 4DIP - IRFD123PBF
(IRFD123PBF-ND) - Discrete Semiconductor Products

HEX/MOS N-CHAN 100V 1.3A 4DIP - IRFD123PBF - Discrete Semiconductor Products

HEX/MOS N-CHAN 100V 1.3A 4DIP - IRFD123PBF (IRFD123PBF-ND) - Discrete Semiconductor Products