HEX/MOS N-CHAN 100V 6.9A 8SOIC - IRF7473TRPBF - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key

IRF7473PBFCT-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

IRF7473TRPBF

Descripción

HEX/MOS N-CHAN 100V 6.9A 8SOIC

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HEX/MOS N-CHAN 100V 6.9A 8SOIC - IRF7473TRPBF - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	IRF7473TRPBF
Distribuidor	International Rectifier (VA)
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Surface Mount
FET Type	N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	26 mOhms @ 4.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3180pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Packaging	Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) @ Vgs	61nC @ 10V
Package / Case	8-SOIC
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	IRF7473TRPBF IRF7473TRPBF IRF7473PBFCT ND IRF7473PBFCTND IRF7473PBFCT

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HEX/MOS N-CHAN 100V 6.9A 8SOIC - IRF7473TRPBF
(IRF7473PBFCT-ND) - Discrete Semiconductor Products

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HEX/MOS N-CHAN 100V 6.9A 8SOIC - IRF7473TRPBF (IRF7473PBFCT-ND) - Discrete Semiconductor Products