MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2 - IPB100N06S3L-03 - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key

IPB100N06S3L-03INTR-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

IPB100N06S3L-03

Descripción

MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2

Cantidad disponible

Non-Stock

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MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2 - IPB100N06S3L-03 - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	IPB100N06S3L-03
Distribuidor	Infineon Technologies
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Surface Mount
FET Type	N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	2.7 mOhms @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	26240pF @ 25V
Power - Max	300W
Packaging	Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) @ Vgs	480nC @ 10V
Package / Case	TO-263-3-2
Estado libre de plomo	Contains Lead
Estado de las normas RoHS	RoHS Non-Compliant
Otros nombres	IPB100N06S3L 03 IPB100N06S3L03 IPB100N06S3L 03INTR ND IPB100N06S3L03INTRND IPB100N06S3L-03INTR

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MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2 - IPB100N06S3L-03
(IPB100N06S3L-03INTR-ND) - Discrete Semiconductor Products

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MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2 - IPB100N06S3L-03 (IPB100N06S3L-03INTR-ND) - Discrete Semiconductor Products