MOSFET P-CHAN 12V 2.6A SSOT3 - FDN306P - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key

FDN306PCT-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

FDN306P

Descripción

MOSFET P-CHAN 12V 2.6A SSOT3

Cantidad disponible

Non-Stock

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MOSFET P-CHAN 12V 2.6A SSOT3 - FDN306P - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	FDN306P
Distribuidor	Fairchild Semiconductor (VA)
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Surface Mount
FET Type	P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	40 mOhms @ 2.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1138pF @ 6V
Power - Max	500mW
Packaging	Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Package / Case	SSOT-3
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	FDN306P FDN306P FDN306PCT ND FDN306PCTND FDN306PCT

Image of MOSFET P-CHAN 12V 2.6A SSOT3 - FDN306P

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MOSFET P-CHAN 12V 2.6A SSOT3 - FDN306P
(FDN306PCT-ND) - Discrete Semiconductor Products

MOSFET P-CHAN 12V 2.6A SSOT3 - FDN306P - Discrete Semiconductor Products

MOSFET P-CHAN 12V 2.6A SSOT3 - FDN306P (FDN306PCT-ND) - Discrete Semiconductor Products