MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK - FQU2N60CTU - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key

FQU2N60CTU-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

FQU2N60CTU

Descripción

MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK

Cantidad disponible

Non-Stock

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MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK - FQU2N60CTU - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	FQU2N60CTU
Distribuidor	Fairchild Semiconductor
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Through Hole
FET Type	N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	4.7 Ohms @ 950mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	235pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Packaging	Tube
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 10V
Package / Case	I-Pak
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	FQU2N60CTU FQU2N60CTU

Image of MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK - FQU2N60CTU

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MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK - FQU2N60CTU
(FQU2N60CTU-ND) - Discrete Semiconductor Products

MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK - FQU2N60CTU - Discrete Semiconductor Products

MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK - FQU2N60CTU (FQU2N60CTU-ND) - Discrete Semiconductor Products