MOSFET P-CHAN 60V 1.17A SOT-223 - BSP315P L6327 - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key

BSP315PL6327INTR-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

BSP315P L6327

Descripción

MOSFET P-CHAN 60V 1.17A SOT-223

Cantidad disponible

Non-Stock

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MOSFET P-CHAN 60V 1.17A SOT-223 - BSP315P L6327 - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	BSP315P L6327
Distribuidor	Infineon Technologies
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Surface Mount
FET Type	P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	1.4 Ohms @ 890mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	160pF @ 25V
Power - Max	1.8W
Packaging	Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) @ Vgs	7.8nC @ 10V
Package / Case	SOT-223
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	BSP315P L6327 BSP315P L6327 BSP315PL6327INTR ND BSP315PL6327INTRND BSP315PL6327INTR

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MOSFET P-CHAN 60V 1.17A SOT-223 - BSP315P L6327
(BSP315PL6327INTR-ND) - Discrete Semiconductor Products

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MOSFET P-CHAN 60V 1.17A SOT-223 - BSP315P L6327 (BSP315PL6327INTR-ND) - Discrete Semiconductor Products