MOSFET N-CHAN 60V 100A TO-263 - IPB050N06N G - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key

IPB050N06NGINTR-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

IPB050N06N G

Descripción

MOSFET N-CHAN 60V 100A TO-263

Cantidad disponible

Non-Stock

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MOSFET N-CHAN 60V 100A TO-263 - IPB050N06N G - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	IPB050N06N G
Distribuidor	Infineon Technologies
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Surface Mount
FET Type	N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	5 mOhms @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6100pF @ 30V
Power - Max	300W
Packaging	Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) @ Vgs	167nC @ 10V
Package / Case	TO-263
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	IPB050N06N G IPB050N06N G IPB050N06NGINTR ND IPB050N06NGINTRND IPB050N06NGINTR

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MOSFET N-CHAN 60V 100A TO-263 - IPB050N06N G
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MOSFET N-CHAN 60V 100A TO-263 - IPB050N06N G (IPB050N06NGINTR-ND) - Discrete Semiconductor Products