Cuando la cantidad solicitada excede las cantidades expuestas en el listado de precios, un precio unitario menor puede aparecer en su solicitud. Usted puede enviar una solicitud para obtener una cotización sobre las cantidades que son mayores a las exhibidas en el listado de precios .
MOSFET N-CHAN D2PAK - IPB091N06N G - Discrete Semiconductor Products
Hoja de datos
IPB091N06N G
Distribuidor
Infineon Technologies
Categoría
Discrete Semiconductor Products
Mounting Type
Surface Mount
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C
8.8 mOhms @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
2800pF @ 30V
Power - Max
188W
Packaging
Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) @ Vgs
81nC @ 10V
Package / Case
D² Pak (SMD-220, TO-263)
Estado libre de plomo
Lead Free
Estado de las normas RoHS
RoHS Compliant
Otros nombres
IPB091N06N G
IPB091N06N G
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
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