MOSFET N-CHAN ENH 55V D2PAK - IPB100N06S3-03

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Número de pieza de Digi-Key

IPB100N06S3-03-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

IPB100N06S3-03

Descripción

MOSFET N-CHAN ENH 55V D2PAK

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MOSFET N-CHAN ENH 55V D2PAK - IPB100N06S3-03 - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	IPB100N06S3-03
Distribuidor	Infineon Technologies
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Surface Mount
FET Type	N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	3 mOhms @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	21620pF @ 25V
Power - Max	300W
Packaging	Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) @ Vgs	480nC @ 10V
Package / Case	D² Pak (SMD-220, TO-263)
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	IPB100N06S3 03 IPB100N06S303

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MOSFET N-CHAN ENH 55V D2PAK - IPB100N06S3-03
(IPB100N06S3-03-ND)

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