MOSFET N-CHAN 100V 100A TO-220 - IPP06CN10N G - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key

IPP06CN10N G-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

IPP06CN10N G

Descripción

MOSFET N-CHAN 100V 100A TO-220

Cantidad disponible

Non-Stock

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MOSFET N-CHAN 100V 100A TO-220 - IPP06CN10N G - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	IPP06CN10N G
Distribuidor	Infineon Technologies
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Through Hole
FET Type	N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	6.5 mOhms @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	9200pF @ 50V
Power - Max	214W
Packaging	Tube
Gate Charge (Qg) @ Vgs	139nC @ 10V
Package / Case	TO-220
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	IPP06CN10N G IPP06CN10N G

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MOSFET N-CHAN 100V 100A TO-220 - IPP06CN10N G
(IPP06CN10N G-ND) - Discrete Semiconductor Products

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MOSFET N-CHAN 100V 100A TO-220 - IPP06CN10N G (IPP06CN10N G-ND) - Discrete Semiconductor Products