MOSFET P-CH 60V 80A TO-263 - SPB80P06P G - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key

SPB80P06PGINTR-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

SPB80P06P G

Descripción

MOSFET P-CH 60V 80A TO-263

Cantidad disponible

Non-Stock

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MOSFET P-CH 60V 80A TO-263 - SPB80P06P G - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	SPB80P06P G
Distribuidor	Infineon Technologies
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Surface Mount
FET Type	P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	23 mOhms @ 64A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5190pF @ 25V
Power - Max	375W
Packaging	Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) @ Vgs	153nC @ 10V
Package / Case	TO-263
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	SPB80P06P G SPB80P06P G SPB80P06PGINTR ND SPB80P06PGINTRND SPB80P06PGINTR

Image of MOSFET P-CH 60V 80A TO-263 - SPB80P06P G

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MOSFET P-CH 60V 80A TO-263 - SPB80P06P G
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