MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK - SPU02N60C3 - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key

SPU02N60C3-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

SPU02N60C3

Descripción

MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

Cantidad disponible

Non-Stock

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MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK - SPU02N60C3 - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	SPU02N60C3
Distribuidor	Infineon Technologies
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Through Hole
FET Type	N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	3 Ohms @ 1.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	200pF @ 25V
Power - Max	25W
Packaging	Tube
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12.5nC @ 10V
Package / Case	I-Pak
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	SPU02N60C3 SPU02N60C3

Image of MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK - SPU02N60C3

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MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK - SPU02N60C3
(SPU02N60C3-ND) - Discrete Semiconductor Products

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MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK - SPU02N60C3 (SPU02N60C3-ND) - Discrete Semiconductor Products