MOSFET N-CHAN 60V 1.8A SOT-223 - BSP295 L6327 - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key

BSP295L6327INCT-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

BSP295 L6327

Descripción

MOSFET N-CHAN 60V 1.8A SOT-223

Cantidad disponible

Non-Stock

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MOSFET N-CHAN 60V 1.8A SOT-223 - BSP295 L6327 - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	BSP295 L6327
Distribuidor	Infineon Technologies (VA)
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Surface Mount
FET Type	N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	300 mOhms @ 1.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	368pF @ 25V
Power - Max	1.8W
Packaging	Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 10V
Package / Case	SOT-223
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	BSP295 L6327 BSP295 L6327 BSP295L6327INCT ND BSP295L6327INCTND BSP295L6327INCT

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MOSFET N-CHAN 60V 1.8A SOT-223 - BSP295 L6327
(BSP295L6327INCT-ND) - Discrete Semiconductor Products

MOSFET N-CHAN 60V 1.8A SOT-223 - BSP295 L6327 - Discrete Semiconductor Products

MOSFET N-CHAN 60V 1.8A SOT-223 - BSP295 L6327 (BSP295L6327INCT-ND) - Discrete Semiconductor Products