MOSFET N-CHAN 60V 100A TO-263 - IPB048N06L G - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key

IPB048N06LGINCT-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

IPB048N06L G

Descripción

MOSFET N-CHAN 60V 100A TO-263

Cantidad disponible

Non-Stock

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MOSFET N-CHAN 60V 100A TO-263 - IPB048N06L G - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	IPB048N06L G
Distribuidor	Infineon Technologies (VA)
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Surface Mount
FET Type	N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	4.4 mOhms @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7600pF @ 30V
Power - Max	300W
Packaging	Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) @ Vgs	225nC @ 10V
Package / Case	TO-263
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	IPB048N06L G IPB048N06L G IPB048N06LGINCT ND IPB048N06LGINCTND IPB048N06LGINCT

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MOSFET N-CHAN 60V 100A TO-263 - IPB048N06L G
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MOSFET N-CHAN 60V 100A TO-263 - IPB048N06L G (IPB048N06LGINCT-ND) - Discrete Semiconductor Products