MOSFET N-CHAN 60V 80A TO-263 - IPB080N06N G - Discrete Semiconductor Products

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Número de pieza de Digi-Key

IPB080N06NGINCT-ND

Quiebre de precio	Precio unitario	Precio extendido

Número de pieza del fabricante

IPB080N06N G

Descripción

MOSFET N-CHAN 60V 80A TO-263

Cantidad disponible

Non-Stock

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MOSFET N-CHAN 60V 80A TO-263 - IPB080N06N G - Discrete Semiconductor Products

Hoja de datos	IPB080N06N G
Distribuidor	Infineon Technologies (VA)
Categoría	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Through Hole
FET Type	N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	7.7 mOhms @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3500pF @ 30V
Power - Max	250W
Packaging	Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) @ Vgs	93nC @ 10V
Package / Case	TO-263
Estado libre de plomo	Lead Free
Estado de las normas RoHS	RoHS Compliant
Otros nombres	IPB080N06N G IPB080N06N G IPB080N06NGINCT ND IPB080N06NGINCTND IPB080N06NGINCT

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MOSFET N-CHAN 60V 80A TO-263 - IPB080N06N G
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